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HY3912W集成电路247 190A 125V n沟道增强模式MOSFET HY3912
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
HY3912W
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Manufacturer
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
原始制造商
描述
原始制造商
原产地
Original Manufacturer
封装/外壳
TO-247
类型
原始制造商
工作环境温度
原始制造商
系列
原始制造商
D/C
最新
应用
功率放大器应用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
原始制造商
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
原始制造商
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
通用
晶体管类型
标准
集成电路
HY3912W
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
20X10X10 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1 | > 1 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
Customized logo
最小起订量: 1
Graphic customization
最小起订量: 1
Customized packaging
最小起订量: 1
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